本發明涉及一種用于光電池的紋理定量評價的光學方法和裝置。本發明的方法和裝置適于通過在支撐光電池的襯底的表面上生長相關的幾何圖案來表征的紋理形態。前述形態可以使用不同的方法形成,包括單晶Si的化學侵蝕,該形態具有朝上的和倒置的角錐。本發明的方法還可以用于在多晶體Si中生長出來的其它紋理程度以及在已經在前述條件下預先進行了紋理化的襯底上沉積的多晶硅電池中存在的紋理的程度。還可以將本發明擴展到具有類似紋理圖案的其它材料。
聲明:
“用于光電池的紋理定量分析的光學方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)