一種光尋址電聚合裝置,由測量池、陣列芯片、電化學工作站、LED陣列光源、LED陣列光源控制器、鎖相放大器、參比電極和對比電極組成,將具有MOS陣列結構光尋址陣列芯片被安裝到光尋址的電聚合的裝置中,通過被高頻調制的紅外LED,選擇性地激勵敏感單元,使芯片的MOS電容陣列被選通。在外電路的電化學工作站電源的驅動下,與參比電極構成光尋址、選擇性的循環伏安的電化學回路,從而可以實現光尋址的電聚合。光尋址的電聚合與分子印跡技術相結合,將構成光尋址分子印跡電化學修飾方法。本發明為解決陣列芯片的敏感薄膜電化學修飾提供了一種有效的方法,使光尋址傳感器能更好地發揮具有多參數,檢測儀器簡便的優勢。
聲明:
“光尋址電聚合裝置及分子印跡電化學修飾方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)