本發明提供了一種形成填充有金屬的溝槽結構的方法,該方法包括:提供一半導體襯底,在半導體襯底上依次沉積形成刻蝕終止層、第二絕緣層和第一絕緣層;在第一絕緣層的表面涂布光阻膠層,并曝光顯影圖案化所述光阻膠層,圖案化光阻膠層的開口用于定義溝槽的位置;以所述圖案化的光阻膠層為掩膜,對第一絕緣層和第二絕緣層依次進行刻蝕,在刻蝕終止層停止刻蝕,形成溝槽;在所述溝槽內填充金屬,所述金屬的高度高于所述第一絕緣層的高度。本發明還提供了一種根據上述方法形成的溝槽結構,以及適用于該溝槽結構的化學機械研磨方法。本發明在化學機械研磨過程中提高了晶片與晶片間的金屬方塊電阻均勻性。
聲明:
“填充有金屬的溝槽結構及形成方法及化學機械研磨方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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