本發明提供了一種酶修飾電化學電極及其制備方法與超薄鍍酶裝置,所述酶修飾電化學電極包括基體電極及基體電極表面的酶鍍層;所述酶鍍層的厚度為10nm~300nm,所述酶修飾電化學電極對惰性底物的檢測范圍為0.01μmol/L~50mmol/L。本發明所述酶修飾電化學電極的酶耗量較低,生產成本較低,利于大規模推廣使用;所述酶修飾電化學電極的酶鍍層厚度為納米級,對底物的響應快,響應延遲時間為微秒級;所述酶修飾電化學電極的酶鍍層對基體電極的尺寸改變很小,有利于酶修飾電化學電極在微米級與納米級場景下的使用;所述酶修飾電化學電極的壽命較長且易保存。
聲明:
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