本發明提供一種延長研磨墊使用周期的化學機械研磨(CMP)方法,屬于半導體制造技術領域。該CMP方法包括第一CMP階段和第二CMP階段,在第二CMP階段應用光學終止點檢測裝置時存在終止點抓取的準備時間段(tp2);其中,在第二CMP階段的研磨前準備步驟設置為通過時間控制和終止點檢測控制結合的模式,以準備時間段(tp2)從第二CMP階段的主研磨步驟中前移至所述研磨前準備步驟中;并且,延長第一CMP階段的主研磨步驟的時間(tp1),以使在該延長的時間(tp1)內的研磨厚度基本等于第二CMP階段的主研磨在該準備時間段內(tp2)的研磨厚度。該CMP方法容易與現有CMP制程兼容,效率高。
聲明:
“延長研磨墊使用周期的化學機械研磨方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)