本發明公開了一種GaN基光化學離子傳感器及其制備方法,其制備方法包括:1)Si襯底上依次生長n型GaN緩沖層和n型GaN層;2)n型GaN層上生長本征摻雜GaN層;3)本征摻雜GaN層上生長p型GaN層;4)選擇性刻蝕外延層材料形成刻蝕臺面,在刻蝕臺面外側及側壁上沉積Al2O3層;5)在Al2O3層外側淀積暴露在待測環境中的探測區域,用于將金屬離子濃度轉換為電信號,所述探測區域為TiO2層;6)利用光刻、金屬蒸鍍技術,淀積上金屬電極和下金屬電極。本發明的優勢是利用TiO2光化學效應,通過光激發TiO2產生的電子?空穴對,使TiO2表面吸附的金屬離子發生離子置換效應,從而引起GaN材料的載流子濃度以及電信號發生變化。
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