本申請提供了一種多層互連結構的化學機械研磨制程仿真的方法和裝置,計算得到半導體互連結構下層結構的各個位置的圖形區高度和下層結構的空白區高度,將各個位置的圖形區高度分別減去空白區高度得到的差值,作為各個位置的不平坦性表征參數高度差值,將不平坦性表征參數高度差值疊加到單層CMP模型中得到新模型,以利用新模型對半導體互連結構的上層結構進行化學機械研磨仿真。從而可對單層CMP模型進行修正得到新模型,由于新模型考慮了半導體互連結構的下層結構對上層結構的疊層效應,可以得到上層結構更準確的仿真預測結果,提升化學機械研磨根據仿真模型的預測精度,在設計階段避免可能的缺陷,縮短產品從設計到制造的周期,協同提高產品的生產良率。
聲明:
“多層互連結構的化學機械研磨制程仿真的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)