本發明公開了一種提高等離子體輔助化學氣相沉積設備性能的方法,其中,包括以下步驟:在一設置多個電阻感應器的等離子體輔助化學氣相沉積設備的反應腔室中,淀積不同厚度的薄膜于所述反應腔室內壁,并且計算出電阻與所述薄膜厚度的變化關系;感應測試出所述腔室內壁淀積薄膜厚度為T時的電阻值R,比較R與所述反應腔室沒有薄膜時的電阻值R0和所述反應腔室內淀積臨界厚度薄膜Tm時的電阻值RM;當R≤RM時,所述電阻感應器觸發所述PEVCD設備自動進行清洗;當R=R0時,所述PEVCD設備停止清洗。本發明能夠精確計算出清洗該薄膜所需要的時間,提高設備的生成效率以及減小由內腔壁清洗不干凈而導致的薄膜剝離污染。
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