本申請涉及SiP模塊的結構檢測方法,包括:采用3D?X光機對第一抽樣SiP模塊進行內部缺陷檢測;采用顯微鏡對第一抽樣SiP模塊進行內部材料和工藝質量目檢;根據GJB548B?2005標準的方法2011的測試條件D,對第一抽樣SiP模塊進行機械強度評價;采用高精度步進研磨及化學溶劑腐蝕結合法,對第一抽樣SiP模塊內部的疊層芯片進行逐層減層分離,并采用顯微鏡逐層進行層缺陷檢測;根據GJB548B?2005標準的方法2019對第二抽樣SiP模塊逐層進行粘接強度檢測;對第三抽樣SiP模塊進行機械切割,得到疊層芯片單元并固封后,對固封后的疊層芯片進行剖面質量檢測;在均未檢測到質量缺陷時,確定各抽樣SiP模塊所屬批次的SiP模塊的可靠性合格。有效適用于SiP模塊內部結構檢測。
聲明:
“SiP模塊的結構檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)