本發明公開了一種檢測晶圓表面氮化硅殘留的方法,屬于半導體制造技術領域。方法包括:步驟S1,采用第一類刻蝕方式對氮化硅薄膜層進行刻蝕,以露出氧化硅薄膜層;步驟S2,采用第二類刻蝕方式對氧化硅薄膜層進行刻蝕,以露出晶圓表面;步驟S3,將晶圓的表面呈現給檢測人員查看,以分辨晶圓的表面是否粘附有氮化硅的殘留物;上述步驟S2中,第二類刻蝕方式中采用的化學藥劑所刻蝕掉的氧化硅多于所刻蝕掉的氮化硅。上述技術方案的有益效果是:能夠提高氮化硅殘留檢測的準確率,并且降低檢測成本,減少檢測耗時。
聲明:
“檢測晶圓表面氮化硅殘留的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)