本發明揭示了一種硅納米線生物檢測芯片的結構及制造方法,該結構包括半導體襯底、生長在半導體襯底上的二氧化硅隔離層、生長在二氧化硅隔離層上的多晶硅層和生長在多晶硅層上的結構層;其中,多晶硅層中包括圖形化形成的硅納米線陣列;結構層的結構為從下至上依次包括SiON層、TaN層和/或Ta2O5層,且TaN層和/或Ta2O5層僅覆蓋于硅納米線陣列中各硅納米線的表面。因此,本發明不僅解決了硅納米線陣列(SiNW)在保存應用中存在的容易受污染的問題,且能使生物芯片經受Na、K、Fe、Cu和Ca等離子的擴散污染的考驗,以及PH值等多種化學因素的影響,即實現了檢測的高穩定性。
聲明:
“用于硅納米線生物檢測芯片的結構及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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