本發明公開了一種非晶Ga2O3光電探測器及其制備方法和性能提升方法,所述非晶Ga2O3光電探測器包括:襯底、沉積于所述襯底表面的摻氫非晶Ga2O3薄膜有源層和設置于所述摻氫非晶Ga2O3薄膜有源層上的電極;其中,所述摻氫非晶Ga2O3薄膜有源層為在20℃~400℃含氫氣氛下,采用真空沉積法制備的非晶薄膜;所述真空沉積法包括磁控濺射、脈沖激光沉積、電子束沉積、化學氣相沉積中的任一方法。
聲明:
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