本發明涉及一種四元探測器的制備方法,包括提供外延片;以光刻膠為掩膜對外延片進行光刻,獲得臺面;采用直流反應磁控濺射的方法在臺面上淀積氮化鋁絕緣接觸層,采用電感耦合等離子體化學氣相沉積的方法在氮化鋁絕緣接觸層上淀積氮化硅鈍化加固層,從而得到氮化鋁和氮化硅雙層薄膜;在氮化鋁和氮化硅雙層薄膜和臺面上開刻電極窗口;在電極窗口中制作P型金屬電極和N型金屬電極,從而得到銦鎵砷鉍四元探測器。本發明還提供由上述的制備方法得到的銦鎵砷鉍四元探測器。本發明的氮化鋁和氮化硅雙層薄膜有效覆蓋凸臺的側表面,提升絕緣鈍化性能,降低了過渡到凸臺的臺階處的漏電流的產生,進而大大提升了探測器的響應率和可靠性。
聲明:
“四元探測器的制備方法以及由此得到的銦鎵砷鉍四元探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)