一種等離子體設備陳化方法和被應用該陳化方 法的等離子體設備。所述陳化方法包括以下步驟:在操作等離 子體設備執行等離子體工藝前、測量在等離子體設備的工藝室 中出現的基于硅氧化物(SiOX)的 化學物種的光發射強度與基于碳氟化物化合物 (CFY)的化學物種的光發射強度 的比;確定所測量的光發射強度比的值是否在正常狀態的預定 范圍內;以及,當基于確定結果為使得所測量的光發射強度比 的值在正常狀態的預定范圍內時,將待在等離子體工藝中使用 的反應氣體供給到工藝室時,陳化工藝室的內部以改變反應氣 體的成分比,并由此改變光發射強度比。
聲明:
“用于陳化感測等離子體設備的半導體裝置的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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