本發明提供了一種晶體硅電池界面復合速率的測試方法,包括選取若干硅片,進行制絨、擴散、清洗與鍍膜;在鍍膜后的硅片表面印刷漿料、燒結得到若干具有不同圖案電極柵線的電池片,進行測試;以及f為坐標建立平面坐標系,并在該平面坐標系中對若干所述電池片的相應數據進行線性擬合,得到斜率k為再求解得到Sme?Si。本發明測試方法無需對電池片上的電極柵線進行清洗,降低化學品損耗,減少廢液排放;且通過常規I?V測試設備即可實現,減少設備投入成本,具有較高的實用價值。
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“晶體硅電池界面復合速率的測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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