本發明涉及一種異質外延生長的氮化鎵晶體的 位錯密度的測定方法,特征在于用光輔助濕法刻蝕結合原子力 顯微鏡對刻蝕的表面位錯腐蝕坑密度統計,測出GaN外延層 的位錯密度;其具體測定步驟是:(1)先按照異丙醇、丙酮、乙 醇的順序對GaN樣品進行化學清洗清洗后用大量去離子水洗凈,用高純N2吹干;(2)將樣品用石蠟或夾子固定在載玻片上,放入盛有1-10M KOH溶液中,采用磁子攪拌,在Cd-He激光器提供的激光照射下,進行濕法刻蝕,時間為5-10分鐘;(3)取出刻蝕樣片,用去離子水清洗,高純N2吹干,然后用原子力顯微鏡,進行刻蝕表面的位錯腐蝕坑統計,估算出GaN外延層的位錯密度。本發明提供的位錯密度測定方法可靠、有效,與其它方法,如XRD位錯密度估算方法相比,一致性好。
聲明:
“異質外延生長的氮化鎵晶體的位錯密度測定方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)