本發明公開了一種適用于高頻光電導衰減法測量半導體級單晶硅少子壽命的預處理方法,包括以下步驟:(1)將單晶硅棒加工成圓柱形;(2)將步驟(1)得到的單晶硅棒進行化學拋光;(3)沖洗完成化學拋光的單晶硅棒,干燥。本發明提供的預處理方法可以有效消除因硅棒的邊界效應和表面復合效應引起的少子壽命的測量誤差,使測量結果更能真實反映單晶硅棒晶體結構和深能級金屬含量的實際情況。
聲明:
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