本發明是一種基于氮化鎵核探測器結構的雙面氮化鎵薄膜外延生長方法,其特征包括如下步驟:選擇一半絕緣氮化鎵襯底;將襯底放入金屬有機物化學氣相沉積反應腔內(鎵面朝上),升溫烘烤襯底,同時通入氨氣對襯底進行保護,防止襯底氮化鎵在升溫過程中發生分解;降溫至生長溫度,同時通入三甲基鎵、氨氣和硅烷,進行n型鎵面氮化鎵薄膜外延生長。待生長結束后,取出氮化鎵襯底,將襯底翻轉后,再次放入金屬有機物化學氣相沉積反應腔內(氮面朝上),重復上述過程進行n型氮面氮化鎵薄膜外延生長。本發明的優點:方法簡單易行,生長周期短,材料性能好,是實現氮化鎵核探測器結構高質量、低成本生長的有效解決方案。
聲明:
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