本發明公開了一種日盲型紫外探測器及其制備方法,包括襯底和緩沖層,所述緩沖層的上面設置有吸收層,吸收層的上面設置有SiO2層和肖特基接觸電極。制備步驟包括,在緩沖層上面,采用金屬有機化學氣相沉積方法生長一層非故意摻雜的非故意摻雜的300nm厚的n-Al0.6Ga0.4N吸收層,載流子濃度約為8×1015cm-3;再沉積SiO2層、制作肖特基接觸金屬電極、再電鍍壓焊點、劃片、引線鍵合、封裝。本發明的特點在于器件的響應波長為200~272nm,在日盲范圍內。
聲明:
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