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    臺面式硅摻砷阻擋雜質帶探測器及其制備方法

    847   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:27:48
    本發明提供了一種臺面式硅摻砷阻擋雜質帶探測器及其制備方法,包括在高導硅襯底上外延生長硅摻砷吸收層,摻雜砷離子;在吸收層上外延生長高阻硅阻擋層;再通過光刻、離子注入、快速熱退火、深硅刻蝕、等離子體增強化學氣相沉積、反應離子束刻蝕、濕法腐蝕、電子束蒸發等工藝制作正、負電極。本發明的優點在于:采用化學氣相沉積法外延生長硅摻砷吸收層,便于增加吸收層厚度和調節摻雜濃度,提高吸收層的吸收效率及器件響應率,避免了離子注入引起的損傷,降低了暗電流;將負電極設置在高導硅襯底上,縮短了光生載流子的輸運路徑,降低了光生載流子被高導硅襯底中雜質和缺陷俘獲的幾率,進一步降低器件的暗電流,提高響應率。
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