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    應用石墨烯電極在GaN自支撐襯底上制備AlGaN肖特基日盲紫外探測器的方法

    1002   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:28:46
    本發明涉及一種應用石墨烯電極在GaN自支撐襯底上制備AlGaN肖特基日盲紫外探測器的方法,其中制作方法包括:先通過氫化物化學氣相制備自支撐襯底GaN,在GaN自支撐襯底上依次沉積N型重摻雜高Al組分的AlGaN層、N型輕摻雜高Al組分的AlGaN層。然后在結構背面,通過電子束蒸發制作歐姆接觸的背電極,在N型輕摻雜AlGaN層上制備石墨烯肖特基接觸,并且用剝離技術制作圓形圖案。最后在整個結構頂部沉積一層鈍化層,并刻蝕部分鈍化層至石墨烯肖特基接觸表面,然后沉積金屬蓋帽層。本發明兼顧目前的工藝生產流程,將高阻率的GaN作為自支撐襯底,實現了兩個接觸制作在襯底不同側,減小了開啟電壓,并且將石墨烯用作肖特基接觸,進一步提高紫外透過率,提高日盲紫外探測器性能,以用于探測微弱信號的紫外光線。
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