本發明涉及一維硫碘化銻半導體納米線、光電探測器及其制備方法,具體的,以碘化銻和硫化銻粉末為原料,通過化學氣相輸運的方法制備大量一維硫碘化銻納米線,并制備了高性能光電探測器,其光電探測器從下到上依次為:重摻雜硅、薄層二氧化硅絕緣層、兩側金屬電極以及位于兩側金屬電極之間的一維硫碘化銻半導體納米線。本發明獲得的一維光電探測器具有高響應度,高開關比和高探測率等特點。由于一維納米線的本身結構的各向異性,可將探測器拓展到偏振光探測。
聲明:
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