本發明涉及半導體紫外光電探測器的技術領域,更具體地,涉及一種AlGaN基日盲紫外雪崩異質結光電晶體管探測器及其制備方法。一種AlGaN基日盲紫外雪崩異質結光電晶體管探測器,其中,包括襯底,利用金屬有機化學氣相沉積外延外生長法(或分子束外延生長法),依次在襯底上生長的非故意摻雜低溫AlN緩沖層,非故意摻雜高溫AlN緩沖層,非故意摻雜AlmGa1?mN窗口層,n型AlmGa1?mN層,n型AlnGa1?nN組分緩變層,非故意摻雜AlaGa1?aN吸收倍增層,非故意摻雜AlbGa1?bN吸收倍增層,非故意摻雜AlcGa1?cN吸收倍增層,Mg摻雜p型AlxGa1?xN層,非故意摻雜AlxGa1?xN層,n型AlyGa1?yN組分緩變層和n型AlzGa1?zN層,以及最后利用器件工藝沉積得到的n型歐姆接觸電極。
聲明:
“AlGaN基日盲紫外雪崩異質結光電晶體管探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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