本實用新型公開了一種長波III?V族紅外探測器,所述紅外探測器結構包括襯底、緩沖層、吸收層和帽層;其中,所述吸收層的材料為非故意摻雜的BInAsSbBi,所述非故意摻雜的BInAsSbBi的組分結構滿足:BxIn1?xAs1?y?zSbyBiz,其中,x≥0.1,0.4≤y≤0.7,0.01≤z≤0.06。本實用新型通過滿足適當組分要求的BInAsSbBi材料作為吸收層來制備長波III?V族紅外探測器,獲得了較好的化學穩定性,在保證耐熱性的同時具有較高的吸收系數,能夠保持與襯底較小的晶格失配,從而提升了探測器性能。
聲明:
“長波III-V族紅外探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)