本實用新型提供了一種測量關鍵尺寸的掃描電子顯微鏡校準用樣品,包括襯底、第一氧化層、多晶硅結構、第二氧化層和氮化鉭層,所述第一氧化層設在所述襯底上,所述多晶硅結構設在所述第一氧化層與所述第二氧化層之間,所述氮化鉭層設在所述第二氧化層上,本實用新型通過多晶硅結構與氮化鉭層的引入,尤其是氮化鉭的引入,使得其有效地避免了“電荷效應”對校準用樣品的影響,減少了碳氫化合物污染的淀積,增加了測量的準確性,提高了測量關鍵尺寸的掃描電子顯微鏡校準用樣品的使用壽命。與此同時,通過第二氧化層的引入,有效避免了氮化鉭與多晶硅的化學反應。
聲明:
“測量關鍵尺寸的掃描電子顯微鏡校準用樣品” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)