本發明涉及光電探測領域,具體涉及一種日盲二維位置敏感探測器,包括電極組、氧化鎵層、多晶金剛石襯底和背電極;所述第一電極、第二電極、第三電極、第四電極以及背電極均為金電極;所述背電極位于多晶金剛石襯底之下;所述的氧化鎵層位于多晶金剛石襯底之上;所述電極組位于氧化鎵層之上;本發明使用化學穩定性好、抗干擾能力強、高性能、高抗輻射能力、探測精確度高、光電轉換能力強的寬禁帶半導體材料氧化鎵和金剛石制備日盲二維位置敏感探測器,從而可以實現對日盲光位置的直接探測與定位。
聲明:
“日盲二維位置敏感探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)