本發明涉及探測器的技術領域,更具體地,涉及一種三臺面p-π-n結構III族氮化物半導體雪崩光電探測器及其制備方法。一種三臺面p-π-n結構III族氮化物半導體雪崩光電探測器,其中,包括襯底,利用外延生長法,如分子束外延或金屬有機化學氣相沉積外延法,依次生長在襯底上的緩沖層,n型摻雜氮化物歐姆電極接觸層,π型氮化物有源層,p型摻雜氮化物層,重摻雜p型氮化物歐姆接觸層,制作在n型層上的n型歐姆接觸電極,制作于p型層上的p型歐姆接觸電極。本發明可改善傳統p-i-n結構器件漏電流較大以及容易發生邊緣提前擊穿的問題,而且三臺面結構對p-π-n結構器件的強弱電場區的邊緣電場實施了雙抑制保護,有效防止結邊緣電場的提前擊穿。
聲明:
“三臺面p-π-n結構III族氮化物半導體雪崩光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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