• <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>
  • 合肥金星智控科技股份有限公司
    宣傳

    位置:中冶有色 >

    有色技術頻道 >

    > 化學分析技術

    > 雙壘量子阱結構半導體紅外光電探測器及其制造方法

    雙壘量子阱結構半導體紅外光電探測器及其制造方法

    927   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:29:08
    一種雙壘量子阱結構半導體紅外光電探測器及其制造方法,探測器包括:電源、金屬接觸層及核心部件,所述的核心部件包括:GaAs襯底層,在所述GaAs襯底層上通過分子束外延技術或金屬有機化學氣相沉積由下至上依次逐層生長的:n型摻雜的GaAs緩沖層;n型摻雜的GaAs下接觸層;雙壘結構的多量子阱層核心工作區:以最外一層較厚勢壘,較薄的內勢壘,勢阱,內勢壘為一周期,依次交替生長多個周期而形成的;n型摻雜的GaAs上接觸層;所述的多量子阱層,每一個周期包括一個AlzGa1-zAs外勢壘層,兩個AlAs勢壘層,和一個InxGa1-xAs1-yNy勢阱層。本發明優點是:可工作于1.31μm左右的光通訊波段,并且具有很強的波長可調性以及更快的響應速度。
    登錄解鎖全文
    聲明:
    “雙壘量子阱結構半導體紅外光電探測器及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
    我是此專利(論文)的發明人(作者)
    分享 0
             
    舉報 0
    收藏 0
    反對 0
    點贊 0
    標簽:
    化學分析
    全國熱門有色金屬技術推薦
    展開更多 +

     

    中冶有色技術平臺

    最新更新技術

    報名參會
    更多+

    報告下載

    赤泥綜合利用研究報告2025
    推廣

    熱門技術
    更多+

    衡水宏運壓濾機有限公司
    宣傳
    環磨科技控股(集團)有限公司
    宣傳

    發布

    在線客服

    公眾號

    電話

    頂部
    咨詢電話:
    010-88793500-807
    專利人/作者信息登記
    久爱国产精品一区免费视频_无码国模国产在线观看_久久久久精品国产亚洲A_国产综合精品无码
  • <tr id="qwu6y"></tr>
  • <menu id="qwu6y"><wbr id="qwu6y"></wbr></menu>