本發明公開了用于監測集成電路(IC)器件中的銅腐蝕的系統和方法。形成于IC器件中的腐蝕敏感結構可以包括與n型有源區相鄰的p型有源區,以限定p?n結空間電荷區。在硅上方形成的銅區可通過相應觸點連接至p區和n區兩者,從而限定短路。例如,在CMP工藝期間入射在p?n結空間電荷區上的光經由短路產生流過金屬區的電流,這驅動引起銅區腐蝕的化學反應。由于短路配置,銅區對腐蝕高度敏感。腐蝕敏感結構可被布置為在IC器件中具有較少的腐蝕敏感銅結構,其中腐蝕敏感結構用作監測IC器件中銅腐蝕的代理。
聲明:
“用于監測集成電路器件中的銅腐蝕的系統和方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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