本發明公開了一種碳納米管結合低維材料克服激子效應的高響應紅外探測器。器件的制備步驟是利用化學氣相沉積生長單壁碳納米管(SWCNTs),并通過溶液分離法均勻沉積在Si/SiO2形成薄膜,利用熱蒸發在上面沉積金屬鈀(Pd)作為源極和漏極。利用光刻膠為掩模,用氧刻將器件周圍一圈碳管薄膜刻蝕干凈。最后將低維材料硫化鉛量子點通過逐層旋涂的方式沉積在已制備好的碳納米管場效應晶體管上完成SWCNTs復合結構器件。利用低維材料與SWCNTs形成異質結,克服SWCNTs的激子效應,同時提升器件近紅外響應。本發明的特點是將一維單壁碳管與低維材料相結合,制作成本低、工藝簡單易制備、響應度高、工作溫度高。
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