本發明提供了一種空腔形成方法、熱電堆紅外探測器及其制作方法,所述空腔形成方法在硅襯底中形成N阱,在N阱包圍的硅襯底中形成N型摻雜的網格結構,并進行電化學腐蝕形成多孔硅層,再通過外延工藝使多孔硅層發生重構形成封閉的空腔。本發明無需通過長時間的濕法腐蝕或干法刻蝕工藝來形成空腔,并且空腔的形成是在金屬淀積之前,不存在常規濕法腐蝕硅襯底形成空腔的工藝中對金屬的腐蝕問題,此外,該空腔的形成方法比較簡單,可與常規CMOS工藝兼容,適于規?;a。
聲明:
“空腔形成方法、熱電堆紅外探測器及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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