本發明公開了一種利用高溫回轉爐生長高質量拓撲半金屬InBi單晶的方法,塊體是In、Bi元素以1:1化學計量比形成的化合物,是具有第二類狄拉克點的拓撲半金屬材料,通過低場磁輸運測試,塊體單晶具有大的載流子濃度1018cm?3和高遷移率,14T未飽和磁阻MR的值到達12000%,低溫1.5K、高場60T出項明顯振蕩;同時角分辨光電子能譜(ARPES)和X射線衍射光譜儀(XRD)的表征,證明了其很高的質量,ARPES分析在ΓXΓ和MXM方向上發現2條nodal?line。制備方法是高溫融合后,以1℃/min的速率緩慢降溫至室溫結晶形成大塊單晶,所獲得的單晶表征ARPES和XRD信號均與文獻記載相吻合,確定為高質量的塊體,同時材料制備參數易調整,設備簡單,易操作,生長過程可控,工藝重復性好,具有較高的制備效率。
聲明:
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