本發明屬于紅外光譜技術領域,更具體地,涉及一種摻硼金剛石修飾的衰減全反射晶片、其制備和應用。其以衰減全反射晶片為基底,在所述基底的表面設置有摻硼金剛石薄膜層,所述摻硼金剛石薄膜層的電阻率為10?3~1Ω·cm;紅外光以一定角度入射至所述衰減全反射晶片內表面,該內表面與所述摻硼金剛石薄膜層相鄰,所述紅外光在該內表面上發生折射和反射,折射后的紅外光進入所述摻硼金剛石薄膜層,且在所述摻硼金剛石薄膜層內發生全發射。該晶片實現良好導電作用的同時又使得紅外信號檢測成為可能,可實現待測分子在BDD電極表面電化學過程中的原位電化學檢測,在電化學、原位紅外檢測領域具有廣闊的應用前景。
聲明:
“摻硼金剛石修飾的衰減全反射晶片、其制備及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)