本發明涉及一種研磨方法及裝置,該方法包括如下步驟:對晶圓介質進行介質化學機械研磨;檢測介質化學機械研磨的研磨效果;根據所述研磨效果確定對所述晶圓介質進行鎢化學機械研磨的研磨菜單。本發明根據介質化學機械研磨的研磨效果確定相適應的鎢化學機械研磨的研磨菜單,對介質化學機械研磨進行輔助,很大的程度上保持并提高介質化學機械研磨的研磨效果,既解決化學汽相淀積淀積薄層區域分布不均勻,前值幅度大,邊緣厚的問題,又保持和提高了晶圓介質的平坦度,從而大大提高了半導體產品的的性能和制造良率。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)