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    雙柵ISFET模型的仿真方法

    1164   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 07:45:50
    本發明涉及一種雙柵ISFET模型的仿真方法。步驟如下:1:獲取待仿真雙柵離子敏感場效應晶體管(ISFET)器件的結構參數;2:根據電解質的物理化學特性,利用TCAD工具重定義電解質的材料參數;3:構建網格化的雙柵ISFET模型;4:設置摻雜、界面狀態、接觸類型等;5:獲取I?V特性和pH特性曲線,并對仿真結果進行分析;6:根據分析結果,選擇不同的材料和尺寸再次進行模擬;7:對比不同結構參數的仿真結果,獲取性能優良的雙柵ISFET器件。本發明提供的仿真方法可優化器件的結構和材料參數,進一步提高雙柵ISFET器件的pH靈敏度,從而節約器件的研發成本,為雙柵ISFET器件的研制提供一定的指導。
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