本發明公布了一種高溫高壓下生長羥基碳酸釤Sm(OH)CO3單晶的方法,包括以下步驟:步驟一、羥基碳酸釤粉晶的合成:使用分析純的十水草酸釤研磨均勻作為起始原料用銀箔包裹置于h?BN管中進行高溫高壓反應,獲得羥基碳酸釤粉晶樣品;步驟二:羥基碳酸釤的生長:將所述羥基碳酸釤粉晶樣品和分析純的氫氧化鈉按照摩爾比1:0.1研磨均勻作為起始原料用鉑金密封的樣品置于h?BN管中進行高溫高壓反應,獲得羥基碳酸釤單晶樣品,獲得了高質量、大尺寸、無雜質的單晶樣品,解決了目前稀土碳酸鹽單晶樣品難以人工合成的技術問題,為后續羥基碳酸釤的晶體結構的定量研究以及各向異性的物理/化學性質的研究研究提供重要保障。
聲明:
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