本發明公開了一種調制InGaN/GaN異質結薄膜內部極化的方法,涉及半導體壓電光電子學技術領域。本發明通過金屬有機化學氣相沉積方法制備包括InGaN/GaN異質結薄膜的外延基片,通過電化學腐蝕方法把InGaN/GaN異質結薄膜從藍寶石襯底上剝離下來,再通過物理轉移辦法將InGaN/GaN異質結薄膜轉移到柔性襯底PET上,最后通過搜集光致發光光譜的檢測方法證明了通過手動3D位移平臺對InGaN/GaN異質薄膜施加的應力確實改善了薄膜內部的極化。應用本發明,不僅解決了InGaN/GaN多量子阱中極化所導致的載流子復合效率降低的問題,還具有制造工藝簡單且調制效果較好。
聲明:
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