本發明公開了一種花瓣狀的二硫化鉬二維晶體材料及其制備方法和應用。該方法采用常壓化學氣相沉積法,在惰性氣體環境下,通過加熱反應物發生化學反應,在襯底上生長花瓣狀的二硫化鉬二維晶體材料。本發明具有簡單易行,操作方便的優點。實驗流程便于控制反應物的量,在大面積范圍中實現反應物鉬源的均勻供給。制備產物形貌特征可控,性能穩定,結晶性好,可進一步用于制備具有高靈敏度,重復性好的SERS傳感器,實現對有機分子的快速痕量檢測。
聲明:
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