本發明提供一種重離子輻照影響β?Ga2O3MOSFET器件電化學性能的方法,包括:將外延層中摻雜施主Si元素的β?Ga2O3在室溫條件下進行不同注量的重離子輻照;檢測重離子輻照前后β?Ga2O3外延晶片的單斜結構、彎曲振動、拉伸模式光學性質和化學結合狀態;對步驟S2中得到的實驗數據進行總結,得出重離子輻照β?Ga2O3外延晶片后產生的點缺陷;將步驟S3中產生的點缺陷引入β?Ga2O3MOSFET模型中,輸出模擬電學性能曲線。本發明通過將β?Ga2O3外延晶片的輻照研究與β?Ga2O3MOSFET器件的模擬研究進行結合,對β?Ga2O3MOSFET器件抗輻射機理研究產生了顯著的效果。
聲明:
“重離子輻照影響β-Ga2O3 MOSFET器件電學性能的模擬方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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