本發明提供了一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線、制備方法及其應用,本發明利用兩步刻蝕法首次合成出銀@氯化銀核殼結構納米線。耦合銀@氯化銀納米線與聚吡咯,制備得到聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線,在光電化學傳感器的發展中有著潛在的應用潛能。跟現有技術相比,本發明銀納米線核可以快速的轉移電子并有效的阻礙電子與空穴的重組。聚吡咯拓寬了電極對可見光的吸收范圍,提高光電流轉化效率。通過對焦棓酸的檢測,聚吡咯/銀@氯化銀光電化學傳感器表現出響應快速、靈敏度高、選擇性好等優點。
聲明:
“聚吡咯/銀@氯化銀核殼結構納米線、制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)