本發明屬于痕量有機物檢測技術領域,涉及一種氮化物表面增強拉曼基片及其制備方法。本發明采用傾斜生長法在單晶硅等基底上生長制備氮化物納米棒陣列,再采用氮氣氣氛退火方法提升氮化物基片性能。上述方法制備的氮化物基片具有良好的表面增強拉曼效應,同時繼承了氮化物陶瓷的化學穩定性,具備超長時間的存放穩定性。由于制備工藝簡單,原材料廉價易得,易于商品化和工業化,該基片在有機物的痕量、快速檢測方面具有廣闊的應用前景。
聲明:
“氮化物表面增強拉曼基片及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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