半導體刻蝕工藝是一種通過物理化學反應來移除基板表面物質的工藝,通常分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩大類。由于刻蝕工藝對機臺設備的要求相對較低,工藝也比較簡單,所以在半導體加工行業中得到了廣泛地應用。但是,如何控制濕法刻蝕中的刻蝕速率一直是行業內公認的技術難點。本發明提供的基板刻蝕裝置具有厚度檢測模塊,通過測量基板的厚度來調節刻蝕速率,達到了很好的效果。
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