厘米級長度的銀單晶納米線陣列的制備方法,屬 于納米材料制備技術領域。本發明選用裸玻璃光纖為基底,用 真空熱蒸鍍方法在裸玻璃光纖一側沉積兩片銀膜分別作為陰 極和陽極,在陰極和陽極之間沿光纖軸向沉積 RbAg4I5銀離子導電薄膜,并使其覆蓋陰極和陽極。在真空中, 對陰極和陽極之間施加恒定直流電壓,經數十小時后,陰極邊 緣生長出長度達厘米量級的銀單晶納米線陣列。該方法在全固 態環境且無任何模板的條件下實現,操作簡單,陣列長度由通 電時間控制,陣列中的銀納米線彼此平行排列,且該陣列易于 從基底分離,可作為導線或器件應用于宏觀尺度的電子學、光 電子學領域中,或直接作為表面增強拉曼散射基底用于化學分 析領域中。
聲明:
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