本發明涉及鋰離子電池存儲技術領域,且公開了界面相互作用構建內建電場用于高性能鋰離子存儲,包括:S1樣品合成,氧化石墨烯(GO)懸浮液是通過改進的Hummer制備方法,合成GaZnON@NG異質結構通常遵循以下步驟,用連續磁力攪拌器在Ga2(SO4)3和ZnSO4溶液中加入一定量的GO溶液,開發了界面相互作用和內建電場調節策略來構建氮摻雜石墨烯(NG)復合的GaZnON納米顆粒(GaZnON@NG)簡單易行的方法。先進的結構表征和密度泛函理論(DFT)分析揭示了強化學鍵(Ga–N/N–C)和GaZnON@NG的界面電荷轉移。這種界面相互作用可以巧妙地調節界面電子狀態,改善表面電子密度和電荷傳輸動力學,從而實現高效鋰離子存儲。
聲明:
“界面相互作用構建內建電場用于高性能鋰離子存儲” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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