本發明提供一種基于兩個系列的集成熱電偶(6和7)的使用的、性能改進的、微型化的硅熱流傳感器,所述集成熱電偶(6和7)位于一個加熱器(4)的兩側,它們都集成在一多孔硅薄膜(2)上,該多孔硅薄膜(2)位于一個孔(3)的頂部。其下有孔(3)的多孔硅薄膜(2)為所述傳感器元件提供非常好的熱隔離,這使得將所述加熱器(4)保持在一個特定溫度所需的功率非常低。其下有一個孔(3)的多孔硅薄膜(2)的形成過程是一個兩步式單電化學過程,它以這樣一個事實為基礎,即陽極電流相對低時,我們處于多孔硅的形成狀態,當此電流超過某個值時,我們就轉到電拋光狀態,所述過程以一低電流開始以形成多孔硅(2),然后它被轉到電拋光條件來形成位于其下的孔(3)。在此對采用所提出的方法的不同類型的熱傳感器裝置,如流傳感器,空氣傳感器,紅外檢測器,濕度傳感器和熱電功率發生器進行了描述。本發明還提供一種采用與形成多孔硅(17)和孔(16)相同的技術形成微射流通路(16)的方法。
聲明:
“以多孔硅封氣孔技術或微通路技術的使用為基礎的低功率硅熱傳感器和微射流裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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