本發明公開了一種金摻雜硅納米錐陣列氣敏傳感器的制備方法,采用納米球模板和金屬輔助化學刻蝕相結合的方法在硅基底上刻蝕出硅納米錐陣列,利用磁控濺射法在納米錐之間摻入金顆粒,通過本發明的方法制備的金摻雜的硅納米錐陣列氣敏傳感器,可以形成具有較大比表面積和氣體擴散通道的結構,金顆粒對氣敏性能有一定的提升。并且,所制備的金摻雜硅納米錐陣列氣敏傳感器元件可在室溫下檢測超低濃度的氮氧化物氣體,具有高靈敏度、良好選擇性的優點。該方法具有設備簡單、操作方便、可重復性好、成本低廉等優點,具有重要的實踐意義和研究意義。
聲明:
“金摻雜硅納米錐陣列氣敏傳感器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)