本發明的半導體表面增強拉曼散射的金剛石基底及其制備方法,屬于拉曼散射信號增強的技術領域。金剛石基底的結構在硅片或金剛石的襯底表面生長有摻雜硼、氮、硫、磷、硫氮或磷氮等的金剛石膜。采用化學氣相沉積方法在襯底上沉積摻雜金剛石膜;制得的摻雜金剛石膜還可以進行表面功能化處理,獲得表面氫終止或氧終止的摻雜金剛石膜,以提高增強因子。本發明首次以金剛石材料作為一種新的半導體SERS基底,具有高靈敏度、穩定性、可重復性、以及具有良好生物兼容性;增強因子可達到102?105,并可用于多種不同的探針分子檢測。
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