本發明涉及一種在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法,具體為采用陽極氧化技術,在鋯基非晶合金表面制備一層高度有序的氧化物納米管陣列層。本發明制備的氧化物納米管陣列層具有結構可控性,納米管的直徑和納米管陣列層的厚度分別可以在10nm~50nm,400nm~1μm之間調控。制備方法和檢測方法簡單,可應用于鋯基生物醫用非晶合金的表面改性和電化學催化、光催化降解等領域。
聲明:
“在鋯基非晶合金表面制備氧化物納米管陣列層的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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