本發明提供原位合成銅納米線陣列材料及其制備方法和應用,將氧化銅納米線陣列置于分離的兩室反應電解池中,在空氣氛圍下,以氧化銅納米線陣列為工作電極,汞/氧化汞為參比電極,鉑片為對電極,電解溶液為0.5M K2CO3的乙腈和氘代水的混合溶液,其中,乙腈的體積占混合溶液總體積的30?70%,氘代水的體積占混合溶液總體積的30?70%,在掃描速度為8?12mV/s,掃描電壓為?0.4~?1.4V的范圍內進行循環伏安測試,直至氧化銅的還原峰消失,即得到原位合成銅納米線陣列材料。本發明通過原位轉化的方法合成了銅納米線陣列(Cu NWAs)材料,以銅納米線陣列(Cu NWAs)材料為電化學反應的陰極,利用一種簡便的電化學還原方法以氘代水為氘源實現了C?X/C?D的高效轉化。
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