本發明提供了一種用于在超導薄膜上使用選擇蝕刻技術形成超導器件(232)的方法。該方法利用將離子注入與化學蝕刻結合的快速蝕刻。超導薄膜要保留的部分在離子注入處理(217)中被掩蓋(215)。然后化學蝕刻處理以比沒有注入的部分(223)快得多的速度去掉超導薄膜經注入的部分(225,227),從而只保留了未注入的部分(223)。得到的超導器件可以用作超微型結構和微型的尖頭、輻射熱測量計、多層RF線圈、微波波導和濾波器。
聲明:
“使用選擇蝕刻技術形成超導器件的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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